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CEB38N08	文件：407.31 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 80V, 38A, RDS(ON) = 30mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 40mW @VGS = 4.5V. 文件：407.31 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEP38N08	文件：407.31 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 80V, 38A, RDS(ON) = 30mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead-free plating ; RoHS compliant. RDS(ON) = 40mW @VGS = 4.5V. 文件：407.31 Kbytes 页数：4 Pages	CET-MOS 华瑞	CET-MOS
CEB6030L	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	CET/华瑞上传：深圳市卓越微芯电子有限公司	CET/华瑞
CEC1702Q-B2-I/SX	文件：0 bytes Page：0 Pages	WFBGA-84	MICROCHIP/微芯上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	MICROCHIP/微芯
CED01N7	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO251	CET 华瑞上传：深圳市尼博电子有限公司	CET

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