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CEP38N08	文件：407.31 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 80V,38A,RDS(ON)=30mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP38N08	文件：300 bytes Page：1 Pages	N Channel MOSFET;	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEB38N08	文件：407.31 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 80V,38A,RDS(ON)=30mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

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CEP38N08

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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 80V,38A,RDS(ON)=30mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=40mW@VGS=4.5V.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

CEP38N08

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N Channel MOSFET;

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET

CEB38N08

文件：407.31 Kbytes

Page：4 Pages

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

技术参数

BVDSS(V)：
80
Rds(on)mΩ@10V：
30
Rds(on)mΩ@4.5V：
40
ID(A)：
38
Qg(nC)@10V(typ)：
37
RθJC(℃/W)：
1.6
Pd(W)：
78
Configuration：
Single
Polarity：
N

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市旺财半导体有限公司	CEP-400	CET	23+	TO-220	4000	正品原装货价格低	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	CEP405+0A	CET/華瑞	23+	TO	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	CEP4050A	CET	23+	原厂原包	19960	只做进口原装终端工厂免费送样	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	CEP4060	CET	TO-220	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	CEP4060	CET	23+	TO-220	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市华来深电子有限公司	CEP4060	CET	23+	TO-220	8560	受权代理!全新原装现货特价热卖!	询价
深圳市创新迹电子有限公司	CEP4060	CET	22+	TO-220	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
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