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CJD3055	文件：542.02 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCJD2955andCJD3055arecomplementarysiliconpowertransistorsmanufacturedbytheepitaxialbaseprocess,mountedinasurfacemountpackage,anddesignedforhighcurrentamplifierandswitchingapplications. MARKING:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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CZT3055	文件：74.59 Kbytes Page：2 Pages	2.0WSURFACEMOUNTCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCZT2955andCZT3055typesaresurfacemountepoxymoldedcomplementarysilicontransistorsmanufacturedbytheepitaxialbaseprocess,designedforsurfacemountedpoweramplifierapplicationsupto6.0amps. MARKINGCODE:FULLPARTNUMBER	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CZT3055	文件：39 Kbytes Page：1 Pages	2.0WSurfaceMountComplementaryNPNSiliconPowerTransistor Features ●Highcurrent(max.6A). ●Lowvoltage(max.60V).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
CZT3055	文件：604.22 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTCOMPLEMENTARYSILICONPOWERTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
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