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FDN360	文件：376.95 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelMOSFET Features Lowgatecharge(6.2nCtypical) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(ON). HighpowerversionofindustryStandardSOT-23package. higherpowerhandlingcapability. VDS(V)=-30V D=-2A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDN360P	文件：231.67 Kbytes Page：8 Pages	SingleP-ChannelPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisP-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductoradvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance.Thesedevicesarewellsui	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDN360P	文件：259.11 Kbytes Page：7 Pages	SingleP-Channel,PowerTrenchMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FDN360P	文件：376.95 Kbytes Page：5 Pages	SingleP-ChannelMOSFET Features Lowgatecharge(6.2nCtypical) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(ON). HighpowerversionofindustryStandardSOT-23package. higherpowerhandlingcapability. VDS(V)=-30V D=-2A(VGS=10V) RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDN360P	文件：618.69 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel2.5V(D-S)MOSFET GeneralDescription Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageand batterypoweredapplicationswherelowin-linepower lossandfastswitchingarerequired. Features Lowgatecharge(6.2nCtypical) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowRDS(ON). Highpowerversionofi	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
FDS360	文件：244.72 Kbytes Page：3 Pages	MonolithicDualSwitchingDiodeCommonAnode	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FM360	文件：25.27 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER(VOLTAGERANGE20to100VoltsCURRENT3.0Amperes)	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
FM360	文件：70.05 Kbytes Page：2 Pages	Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ●Forsurfacemountedapplications. ●ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ●Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FM360	文件：87.69 Kbytes Page：2 Pages	ChipSchottkyBarrierDiodes	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
FM360-A	文件：69.34 Kbytes Page：2 Pages	Siliconepitaxialplanertype Siliconepitaxialplanertype Features ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ●Forsurfacemountedapplications. ●ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ●Lowleakagecurrent.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA

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产品属性

产品编号：
CDBC360-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AB，SMC
供应商器件封装：
DO-214AB（SMC）
工作温度 - 结：
125°C（最大）
描述：
DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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