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CED3100	文件：661.16 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,51A,RDS(ON)=10mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=17mW@VGS=4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEM3100	文件：633.79 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,12A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. RDS(ON)=19mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEP3100	文件：418.74 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,47A,RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=21mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■TO-220package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEP3100	文件：677.43 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,47A,RDS(ON)=12mW@VGS=10V. RDS(ON)=21mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEU3100	文件：415.7 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,51A,RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=17mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CEU3100	文件：1.27043 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=30V,ID=55A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEU3100	文件：661.16 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,51A,RDS(ON)=10mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=17mW@VGS=4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CP3100SC	文件：1.36903 Mbytes Page：5 Pages	SMBPlastic-EncapsulateDiodes	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
CR3100SA	文件：98.08 Kbytes Page：3 Pages	TheCRrangeofprotectorsarebasedontheproventechnologyoftheT10thyristorproduct	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
CR3100SA	文件：306.22 Kbytes Page：9 Pages	Thyristors(SiBODBreakoverDevices) [CRYDOM] GetTVSInsuranceFrom ThePeopleWhoKnow There’stoomuchridingonover-voltagesurgeprotectiontotakechances.That’swhymoreandmorepeopleareturningtoCrydom. Crydom’sSiBODSeriesEquals “CrowBar”Protection Toprotectsensitivetelecommunicationscircuitry,CrydomTh	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1

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产品属性

产品编号：
CDBC3100-HF
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
3A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
250pF @ 4V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214AB，SMC
供应商器件封装：
DO-214AB（SMC）
工作温度 - 结：
-50°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 100V 3A DO214AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳诚思涵科技有限公司	CDBC3100-HF	Comchip	19+	SMC(DO-21	200000		询价
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更多CDBC3100-HF供应商更新时间2025-5-17 8:30:00

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