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CEU3100中文资料杜因特数据手册PDF规格书

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厂商型号

CEU3100

功能描述

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件大小

1.27043 Mbytes

页面数量

4

生产厂商

DOINGTER

中文名称

杜因特

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数据手册

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更新时间

2025-12-13 20:00:00

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CEU3100规格书详情

Description:

This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge.

It can be used in a wide variety of applications.

Features:

1) VDS=30V,ID=55A,RDS(ON)<10mΩ @VGS=10V

2) Low gate charge.

3) Green device available.

4) Advanced high cell denity trench technology for ultra Iow RDS(ON).

5) Excellent package for good heat dissipation.

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