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CDBC3100-HF	文件：109.83 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBC3100LR-HF	文件：95.37 Kbytes Page：4 Pages	LowVFLowIRSMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBCT3100-HF	文件：380.86 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierDiode Forwardcurrent:3.0A Reversevoltage:20to100V RoHSDevice HalogenFree Features -Leadlesschipform,noleaddamage. -Lowpowerloss,Highefficiency. -Highcurrentcapability,lowVF -PlasticpackagehasUL94V-0. MechanicalData -Case:PackedwithFRPsubstrateandepoxyunde	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBMH3100-G	文件：99.74 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBMH3100-HF	文件：169.43 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBMH3100-HF	文件：169.43 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBMH3100-HF	文件：102.83 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CDBMHT3100-HF	文件：269.83 Kbytes Page：4 Pages	SMDSchottkyBarrierRectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CED3100	文件：415.7 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,51A,RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=17mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CED3100	文件：661.16 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,51A,RDS(ON)=10mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=17mW@VGS=4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

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产品属性

产品编号：
CDBAT3100-HF
制造商：
Comchip Technology
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
描述：
DIODE SCHOTTKY DO-214AC

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更多CDBAT3100-HF供应商更新时间2025-5-25 15:22:00

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