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CDBMHT3100-HF	文件：269.83 Kbytes Page：4 Pages	SMD Schottky Barrier Rectifiers	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
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CEU3100	文件：1.27043 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology Description： ThisN-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(on)withlowgatecharge. Itcanbeusedinawidevarietyofapplications. Features： 1)VDS=30V,ID=55A,RDS(ON)	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CEU3100	文件：661.16 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,51A,RDS(ON)=10mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RDS(ON)=17mW@VGS=4.5V. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CP3100SC	文件：1.36903 Mbytes Page：5 Pages	SMBPlastic-EncapsulateDiodes	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI

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