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HEF4076BF	文件：70.34 Kbytes Page：7 Pages	QuadrupleD-typeregisterwith3-stateoutputs DESCRIPTION TheHEF4076Bisaquadrupleedge-triggeredD-typeflip-flopwithfourdatainputs(D0toD3),twoactiveLOWdataenableinputs(ED0andED1),acommonclockinput(CP),four3-stateoutputs(O0toO3),twoactiveLOWoutputenableinputs(EO0andEO1),andanoverridingasynchronousmast	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
HEF4076BN	文件：70.34 Kbytes Page：7 Pages	QuadrupleD-typeregisterwith3-stateoutputs DESCRIPTION TheHEF4076Bisaquadrupleedge-triggeredD-typeflip-flopwithfourdatainputs(D0toD3),twoactiveLOWdataenableinputs(ED0andED1),acommonclockinput(CP),four3-stateoutputs(O0toO3),twoactiveLOWoutputenableinputs(EO0andEO1),andanoverridingasynchronousmast	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
HEF4076BP	文件：70.34 Kbytes Page：7 Pages	QuadrupleD-typeregisterwith3-stateoutputs DESCRIPTION TheHEF4076Bisaquadrupleedge-triggeredD-typeflip-flopwithfourdatainputs(D0toD3),twoactiveLOWdataenableinputs(ED0andED1),acommonclockinput(CP),four3-stateoutputs(O0toO3),twoactiveLOWoutputenableinputs(EO0andEO1),andanoverridingasynchronousmast	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
HEF4076BT	文件：70.34 Kbytes Page：7 Pages	QuadrupleD-typeregisterwith3-stateoutputs DESCRIPTION TheHEF4076Bisaquadrupleedge-triggeredD-typeflip-flopwithfourdatainputs(D0toD3),twoactiveLOWdataenableinputs(ED0andED1),acommonclockinput(CP),four3-stateoutputs(O0toO3),twoactiveLOWoutputenableinputs(EO0andEO1),andanoverridingasynchronousmast	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
INN4076C	文件：2.49479 Mbytes Page：36 Pages	Off-LineCV/CCZVSFlybackIntegratedSwitcherICwith750VPowiGaN,ActiveClampDriveandSynchronousRectification HighlyIntegrated,CompactFootprint •Zerovoltageswitching(ZVS)flybackcontrollerwithdriverfor ClampZeroTM(activeclampIC) •UniquecontrolalgorithmenablesZVSinbothDCMandCCM •Robust750VPowiGaNTMprimaryswitch •Steady-stateswitchingfrequencyupto155kHzminimizes t	POWERINTPower Integrations, Inc. 荷兰帕沃英蒂格盛有限公司	POWERINT
KTC4076	文件：483.15 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ExcellenthFELinearity ●ComplementarytoKTA2015 APPLICATIONS ●GeneralPurposeSwitching	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
KTC4076	文件：699.31 Kbytes Page：3 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●ExcellenthFELinearity ●ComplementarytoKTA2015 APPLICATIONS ●GeneralPurposeSwitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
KTC4076	文件：118.78 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ExcellenthFELinearity :hFE(2)=25(Min.)atVCE=6V,IC=400mA. •ComplementarytoKTA2015.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KTC4076	文件：152.61 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●ExcellentHFELinearity. ●ComplementarytoKTA2015 ●Powerdissipation.(PC=100mW) APPLICATIONS ●Generalpurposeandswitchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
KTC4076	文件：130.639 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:100mW(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:500mA Collector-basevoltage V(BR)CBO:35V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN

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