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CD4025BE | 丝印：CD4025BE；Package：PDIP；CMOS NOR Gates Features: = Propagation delay tima = 60 ns (typ.) at CL =50pF, Vpp=10V = Buffered inputs and outputs = Standardized symmetrical output characteristics = 100% tested for maximum quiescent current at 20 V ® 5-V, 10.V, and 15-V parametric ratings = Maximum input current of 1 uA at 18 V ov 文件：1.02076 Mbytes 页数：23 Pages | TI 德州仪器 | TI | |
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CD4025BE | 丝印：CD4025BE；Package：PDIP；CMOS NOR Gates Features: = Propagation delay tima = 60 ns (typ.) at CL =50pF, Vpp=10V = Buffered inputs and outputs = Standardized symmetrical output characteristics = 100% tested for maximum quiescent current at 20 V ® 5-V, 10.V, and 15-V parametric ratings = Maximum input current of 1 uA at 18 V ov 文件：1.02076 Mbytes 页数：23 Pages | TI 德州仪器 | TI | |
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CD4025BE | CMOS NOR Gates 文件：523.679 Kbytes 页数：12 Pages | TI 德州仪器 | TI | |
CD4025BE | CMOS NOR Gates 文件：952.17 Kbytes 页数：19 Pages | TI 德州仪器 | TI | |
CD4025BE | CMOS NOR Gates 文件：1.18416 Mbytes 页数：18 Pages | TI 德州仪器 | TI | |
CMOS NOR Gates 文件：952.17 Kbytes 页数：19 Pages | TI 德州仪器 | TI |
详细参数
- 型号：
CD4025BE
- 功能描述：
逻辑门 Triple 3-Input
- RoHS：
否
- 制造商：
Texas Instruments
- 产品：
OR
- 逻辑系列：
LVC
- 栅极数量：
2
- 线路数量（输入/输出）：
2/1
- 高电平输出电流：
- 16 mA
- 低电平输出电流：
16 mA
- 传播延迟时间：
3.8 ns
- 电源电压-最大：
5.5 V
- 电源电压-最小：
1.65 V
- 最大工作温度：
+ 125 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
DCU-8
- 封装：
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
21+ |
DIP14 |
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TI/德州仪器 |
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