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RFL1N10	文件：148.22 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel,PowerMOSFETs Description TheseareN-channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhigh-powerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drive	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFL1N10	文件：96.15 Kbytes Page：2 Pages	1A,180Vand200V,3.65Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhigh-powerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drive	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFL1N10	文件：30.55 Kbytes Page：4 Pages	1A,80Vand100V,1.200Ohm,N-Channel,PowerMOSFETs Description TheseareN-channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhigh-powerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drive	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFL1N10L	文件：29.9 Kbytes Page：5 Pages	1A,100V,1.200Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFET Description ThisisanN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplishedthrougha	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RJ1N10BBH	文件：2.54298 Mbytes Page：13 Pages	Nch80V235APowerMOSFET Features 1)Lowon-resistance 2)Highpowermoldpackage (TO263AB) 3)Pb-freeplating;RoHScompliant 4)HalogenFree 5)100%RgandUIStested Application Switching Motordrives DC/DCconverter	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

技术参数

额定电流：
10A

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更多CCF1N10供应商更新时间2025-7-28 22:54:00

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