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CBS10S30	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small-signal Schottky barrier diode Feature：High current / Low VF\nInternal Connection：Single\nNumber of Circuits：1\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 泰国 Average Forward Current IO 1 A \nReverse Voltage VR 20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
CBS10S30	文件：140.94 Kbytes Page：6 Pages	Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial 文件：140.94 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
CBS10S30,L3F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：2-SMD，无引线；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 20V 1A CST2B	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
CUS10S30	文件：136.58 Kbytes Page：5 Pages	Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial 文件：136.58 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
F10S30	文件：45.23 Kbytes Page：1 Pages	LVX Series Power MOSFET 文件：45.23 Kbytes 页数：1 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
FS10S30CT	文件：299.35 Kbytes Page：2 Pages	10.0 Ampere Surface Mount Dual Series Connection Ultra Fast Recovery Rectifiers Features ※ ThinkiSemi latest&matured process FRD/FRED ※ Low forward voltage drop ※ High current capability ※ Low reverse leakage current ※ High surge current capability Application ※ Automotive Inverters and Solar Inverters ※ Car Audio Amplifiers and Sound Device Systems ※ Plating Power S 文件：299.35 Kbytes 页数：2 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI

技术参数

Life-cycle：
新产品
Product Category：
Small-signal Schottky barrier diode
internal_connection：
Single
IF/IF(AV)/IO (Max) (A)：
1
VR/VRRM (Max)(V)：
20
IR/IRRM (Max)(mA)：
0.5
CT/Cj (Typ.)(pF)：
135
Features：
High current/Low VF
Number of Circuits：
1
Number of pins：
2
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
CST2B
Width×Length×Height(mm)：
1.2 x 0.8 x 0.38
Package Size(mm^2)：
0.96

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科雨电子有限公司	CBS10S30L3F	TOSHIBA	25+	CST2B	3675	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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更多CBS10S30供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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