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CBS10S30,L3F	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：2-SMD，无引线类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 20V 1A CST2B	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
CBS10S30	文件：140.94 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiodeSiliconEpitaxial	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
CUS10S30	文件：136.58 Kbytes Page：5 Pages	SchottkyBarrierDiodeSiliconEpitaxial	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
F10S30	文件：45.23 Kbytes Page：1 Pages	LVXSeriesPowerMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
FS10S30CT	文件：299.35 Kbytes Page：2 Pages	10.0AmpereSurfaceMountDualSeriesConnectionUltraFastRecoveryRectifiers Features ※ThinkiSemilatest&maturedprocessFRD/FRED ※Lowforwardvoltagedrop ※Highcurrentcapability ※Lowreverseleakagecurrent ※Highsurgecurrentcapability Application ※AutomotiveInvertersandSolarInverters ※CarAudioAmplifiersandSoundDeviceSystems ※PlatingPowerS	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
MGBR10S30	文件：136.7 Kbytes Page：3 Pages	MOSGATEDBARRIERRECTIFIER	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
S10S30	文件：219.63 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS(10A,30-60V) SWITCHMODEPOWERRECTIFIERSD2PAKSURFACEMOUNTPOWERPACKAGE TheD2PAKPowerrectifieremploystheSchottkyBarrierprinciplewithaMolybdenumbarriermetal.Thesestate-of-the-artdevicehavethefollowingfeatures: LowForwardVoltage. LowSwitchingnoise. HighCurrentCapacity Gu	MOSPEC MOSPEC	MOSPEC
S10S30PT	文件：98.63 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
SDB10S30	文件：618.95 Kbytes Page：9 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode SiliconCarbideSchottkyDiode •Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide •Switchingbehaviorbenchmark •Noreverserecovery •Notemperatureinfluenceontheswitchingbehavior •Noforwardrecovery	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SDP10S30	文件：618.95 Kbytes Page：9 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode SiliconCarbideSchottkyDiode •Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide •Switchingbehaviorbenchmark •Noreverserecovery •Notemperatureinfluenceontheswitchingbehavior •Noforwardrecovery	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SDP10S30	文件：620.81 Kbytes Page：9 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SDT10S30	文件：618.95 Kbytes Page：9 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode SiliconCarbideSchottkyDiode •Revolutionarysemiconductormaterial-SiliconCarbide •Switchingbehaviorbenchmark •Noreverserecovery •Notemperatureinfluenceontheswitchingbehavior •Noforwardrecovery	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
SM10S30A	文件：2.51046 Mbytes Page：5 Pages	Junctionpassivationoptimizeddesignpassivatedanisotropicrectifiertechnology	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
SM10S30A	文件：2.50249 Mbytes Page：5 Pages	8000WTransient00WVoltageSuppressor	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH

产品属性

产品编号：
CBS10S30,L3F
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
135pF @ 0V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
2-SMD，无引线
供应商器件封装：
CST2B
工作温度 - 结：
125°C（最大）
描述：
DIODE SCHOTTKY 20V 1A CST2B

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