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DRA722	文件：5.28605 Mbytes Page：408 Pages	InfotainmentApplicationsProcessor	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
DRA722	文件：5.32637 Mbytes Page：409 Pages	InfotainmentApplicationsProcessorSiliconRevision2.0	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
FMMT722	文件：355.42 Kbytes Page：4 Pages	SILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS FEATURES 625mWPOWERDISSIPATION ICCONT2.5A ICUpTo10APeakPulseCurrent ExcellenthfeCharacteristicsUpTo10A(pulsed) ExtremelyLowSaturationVoltageE.g.10mVTyp. Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT722	文件：37.87 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingTransistor Features ●625mWpowerdissipation. ●ICCONT2.5A. ●ICupto10Apeakpulsecurrent. ●Excellenthfecharacteristicsupto10A(pulsed). ●Extremelylowsaturationvoltagee.g.10mVtyp.. ●Exhibitsextremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat).	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FMMT722	文件：440.66 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-12V •IC=-2.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=-10APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageE.g.-17mVMax@IC=-100mA. •RCE(sat)=72mΩat2.5Aforalowequivalenton-resistance •625mWpowerdissipation •hFEcharacterisedupto-10Aforhighcurrentgai	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT722	文件：367.43 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-100V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2.5APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMMT722TA	文件：367.43 Kbytes Page：4 Pages	SOT23PNPSILICONPOWER(SWITCHING)TRANSISTORS Features •BVCEO>-100V •IC=-1AHighContinuousCollectorCurrent •ICM=-2.5APeakPulseCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FMT722	文件：233.87 Kbytes Page：1 Pages	SnaglessPre-Plugs	BLACKBOX Black Box Registered Trademark	BLACKBOX
HE722	文件：102.34 Kbytes Page：1 Pages	DualOutputVCO	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
HEm722	文件：102.34 Kbytes Page：1 Pages	DualOutputVCO	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI

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产品属性

产品编号：
C722KJT
制造商：
TE Connectivity Passive Product
类别：
电阻器 > 通孔式电阻器
系列：
C, CGS
包装：
卷带（TR）
容差：
±5%
功率 (W)：
7W
成分：
绕线
温度系数：
±200ppm/°C
工作温度：
-55°C ~ 200°C
封装/外壳：
轴向
供应商器件封装：
轴向
大小 / 尺寸：
0.335" 直径 x 0.866" 长（8.50mm x 22.00mm）
描述：
RES 22K OHM 5% 7W AXIAL

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