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CMPT5551	文件：78.75 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT5551typeisanNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications. MARKINGCODE:1FF	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT5551E	文件：119.13 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT5551EisanNPNSiliconTransistor,packagedinanSOT-23case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltageandsmallspacesavingpackaging. MARKINGCODE:C555 FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMPT5551HC	文件：111.91 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTHIGHCURRENTSILICONNPNTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPT5551HCtypeisahighcurrentNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageandhighcurrentamplifierapplications. MARKINGCODE:1FHC	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMUT5551	文件：119.63 Kbytes Page：2 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMUT5551typeisanNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications. MARKINGCODE:55C	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CMUT5551E	文件：144 Kbytes Page：2 Pages	ENHANCEDSPECIFICATIONSURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTOR DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMUT5551EisanNPNSiliconTransistor,packagedinanSOT-523case,designedforgeneralpurposeamplifierapplicationsrequiringhighbreakdownvoltageandsmallspacesavingpackaging. MARKINGCODE:5C1 FEATURES: •HighCollectorBreakdownVoltage250V	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CTLT5551	文件：413.04 Kbytes Page：2 Pages	GENERALPURPOSENPNSILICONTRANSISTORS	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CXT5551	文件：100.75 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTNPNSILICONTRANSISTORS DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCXT5551typeisanNPNsilicontransistormanufacturedbytheepitaxialplanarprocess,epoxymoldedinasurfacemountpackage,designedforhighvoltageamplifierapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
CXT5551	文件：309.42 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features ●Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF ●LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) ●PowerDissipation:PCM=0.5W(Tamb=25°C) ●CollectorCurrent:ICM=0.6A ●Collector-BaseVoltage:V(BR)CBO=180V ●Marking	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
CXT5551	文件：737.17 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●SwitchingandamplificationinhighvoltageApplicationssuchastelephony ●Lowcurrent(max.600mA) ●Highvoltage(max.180v)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
CXT5551	文件：369.87 Kbytes Page：2 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	C5552	PANASONIC	24+	TO220-3	5		询价
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