CERAMIC MOLDED/AXIAL & RADIAL - STANDARD

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KEMETKEMET Corporation

基美

CERAMIC MOLDED/AXIAL & RADIAL - STANDARD

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KEMETKEMET Corporation

基美

CERAMIC MOLDED/AXIAL & RADIAL - STANDARD

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KEMETKEMET Corporation

基美

IGBT 轴向吸收电容器

塑料外壳封装，干式环氧树脂灌注 镀锡铜线引出，易安装 耐高压，温升低 低ESL和低ESR 承受高脉冲电流 • 材质\n金属化聚丙烯薄膜\n\n• 工作温度范围\n-40~+85℃\n\n• 额定电压\n630V.DC～3000V.DC\n\n• 容量范围\n0.0068µF ~10.0µF;

DIN

尚鼎芯

直流支撑DC-link电容器

•圆形外壳封装，干式树脂灌注；\n\n•镀锡铜螺母或铜螺杆引出；\n\n•耐压高，损耗(tgδ)小，温升低；\n\n•自感(ESL)小，等效串联电阻(ESR)小；\n\n•稳定性好、具有自愈性。;

GDHY

华裕

CAN Interfacing

Microchip

微芯科技

丝印：C5103；Package：SOT-428；High speed switching transistor (60V, 5A)

Features 1) Low VCE(sat) (Typ. 0.15V at IC / IB = 3 / 0.15A) 2) High speed switching (tf : Typ. 0.1 μs at IC = 3A) 3) Wide SOA. (safe operating area) 4) Complements the 2SA1952.

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ROHM

罗姆

丝印：C5196；TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type

Power Amplifier Applications • Complementary to 2SA1939 • Suitable for use in 40-W high fidelity audio amplifier’s output stage

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TOSHIBA

东芝

丝印：C5198；Silicon NPN Triple Diffused Type

Power Amplifier Applications • High breakdown voltage: VCEO = 140 V (min) • Complementary to 2SA1941 • Suitable for use in 70-W high fidelity audio amplifier’s output stage

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TOSHIBA

东芝

丝印：C5103；Package：SOT-428；High speed switching transistor (60V, 5A)

文件：170.41 Kbytes 页数：4 Pages

ROHM

罗姆