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C4H2327N55P中文资料Power GaN transistor数据手册Ampleon规格书
| 厂商型号 |
C4H2327N55P |
| 参数属性 | C4H2327N55P 封装/外壳为6-VDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：C4H2327N55PZ/DFN-7X6.5-6-1/REELD |
| 功能描述 | Power GaN transistor |
| 封装外壳 | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 制造商 | Ampleon Ampleon Netherlands B.V. |
| 中文名称 | 安谱隆 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-1 11:20:00 |
| 人工找货 | C4H2327N55P价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
C4H2327N55P规格书详情
描述 Description
50 W GaN packaged Doherty power transistor for base station applications at frequencies from 2300 MHz to 2690 MHz.
特性 Features
• Excellent digital pre-distortion capability
• High efficiency
• Designed for broadband operation
• Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications
• Internally matched for ease of use
• For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website
应用 Application
• RF power amplifier for base stations and multi carrier applications in the 2300 MHz to 2690 MHz frequency range
技术参数
- 制造商编号
：C4H2327N55P
- 生产厂家
：Ampleon
- GP (dB)
：19.6
- PL(AV) (W)
：7.6
- Die Technology
：GaN
- VDS (V)
：48.0
- ηD (%)
：38.0
- PL(1dB) (W)
：50.0
- PL(1dB) (dBm)
：47.0
- Test Signal
：Pulsed CW
- Fmin (MHz)
：2300
- Fmax (MHz)
：2700
- Status
：Production
- Matching
：I
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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NA |
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95 |
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