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C4H2327N110A中文资料Power GaN transistor数据手册Ampleon规格书
| 厂商型号 |
C4H2327N110A |
| 参数属性 | C4H2327N110A 封装/外壳为6-VDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：C4H2327N110AZ/DFN 6.5X7.0/REELDP |
| 功能描述 | Power GaN transistor |
| 封装外壳 | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 制造商 | Ampleon Ampleon Netherlands B.V. |
| 中文名称 | 安谱隆 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 17:46:00 |
| 人工找货 | C4H2327N110A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
C4H2327N110A规格书详情
描述 Description
100 W GaN packaged Doherty power transistor for base station applications at frequencies from 2300 MHz to 2700 MHz.
特性 Features
• Excellent digital pre-distortion capability
• High efficiency
• Designed for broadband operation
• Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications
• Internally matched for ease of use
• For RoHS compliance see the product details on the Ampleon website
应用 Application
• RF power amplifier for base stations and multi carrier applications in the 2300 MHz to 2700 MHz frequency range
技术参数
- 制造商编号
：C4H2327N110A
- 生产厂家
：Ampleon
- GP (dB)
：15.0
- PL(AV) (W)
：14.1
- Die Technology
：GaN
- VDS (V)
：50.0
- ηD (%)
：57.0
- PL(1dB) (W)
：100.0
- PL(1dB) (dBm)
：50.0
- Test Signal
：1-c W-CDMA
- Fmin (MHz)
：2300
- Fmax (MHz)
：2700
- Status
：Production
- Matching
：I
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AMPLEON |
23+ |
SMD |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
KEMET/基美 |
15+ROHS |
Axial |
320000 |
一级质量专业经营自家库存供应 |
询价 | ||
AMPLEON |
24+ |
N/A |
6636 |
原装原装原装 |
询价 | ||
Ampleon/安谱隆 |
24+ |
DFN-7x6.5-6-1 |
8500 |
Ampleon/安谱隆通信系列在售 |
询价 | ||
AMPLEON |
2450+ |
NA |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
Ampleon USA Inc. |
25+ |
6-VDFN 裸露焊盘 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
73000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
AMP |
2324+ |
1324 |
原装正品,超低价出售 |
询价 |
