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C4532X7S2A475M	文件：379.6 Kbytes Page：9 Pages	RF Power GaN Transistor 文件：379.6 Kbytes 页数：9 Pages	恩XP	恩XP
C4532X7S2A475M	文件：364.8 Kbytes Page：9 Pages	RF Power LDMOS Transistor 文件：364.8 Kbytes 页数：9 Pages	恩XP	恩XP
C4532X7S2A475M230KB	文件：65.62 Kbytes Page：5 Pages	Multilayer Ceramic Chip Capacitors Features • Voltage rating of 100V to 630V with capacitance range up to 15μF. • High capacitance has been achieved through precision technologies that enable the use of multiple thinner ceramic dielectric layers. • Low residual inductance assures superior frequency characteristics. • Excellent 文件：65.62 Kbytes 页数：5 Pages	TDK 东电化	TDK
C4532X7S2A475M230KB	文件：319.31 Kbytes Page：13 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 文件：319.31 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
C4532X7S2A475M230KB_16	文件：138.82 Kbytes Page：1 Pages	Commercial Grade ( Mid Voltage (100 to 630V) ) 文件：138.82 Kbytes 页数：1 Pages	TDK 东电化	TDK
C4532X7S2A475M230KB_17	文件：234.84 Kbytes Page：3 Pages	Multilayer Ceramic Chip Capacitors 文件：234.84 Kbytes 页数：3 Pages	TDK 东电化	TDK
C4532X7S2A475MT	文件：105.22 Kbytes Page：1 Pages	SPECIFICATION FOR TDK MULTILAYER CERAMIC CHIP CAPACITORS 文件：105.22 Kbytes 页数：1 Pages	TDK 东电化	TDK
C4532X7S2A475M230KB	文件：300 bytes Page：1 Pages	积层贴片陶瓷片式电容器	TDK 东电化	TDK
C4532X7S2A475MT000N	文件：300 bytes Page：1 Pages	贴片电容(MLCC)	TDK 东电化	TDK
C4532X7S2A475M230KB	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：1812（4532 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电容器陶瓷电容器描述：CAP CER 4.7UF 100V X7S 1812	TDK 东电化	TDK

技术参数

额定电压：
100VDC
温度特性?：
X7S(±22%)
耗散因数 (Max.)：
5%
绝缘电阻 (Min.)：
106MΩ

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更多C4532X7S2A475M供应商更新时间2025-12-13 14:38:00

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