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C4532X7S2A475M中文资料恩智浦数据手册PDF规格书
厂商型号 |
C4532X7S2A475M |
参数属性 | C4532X7S2A475M 封装/外壳为1812(4532 公制);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电容器 > 陶瓷电容器;C4532X7S2A475M应用范围:通用;产品描述:CAP CER 4.7UF 100V X7S 1812 |
功能描述 | RF Power GaN Transistor |
文件大小 |
379.6 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | NXP Semiconductors |
企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-23 20:00:00 |
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产品属性
- 产品编号:
C4532X7S2A475M230KB
- 制造商:
TDK Corporation
- 类别:
电容器 > 陶瓷电容器
- 系列:
C
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 容差:
±20%
- 电压 - 额定:
100V
- 温度系数:
X7S
- 工作温度:
-55°C ~ 125°C
- 应用:
通用
- 安装类型:
表面贴装,MLCC
- 封装/外壳:
1812(4532 公制)
- 大小 / 尺寸:
0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
- 厚度(最大值):
0.098"(2.50mm)
- 描述:
CAP CER 4.7UF 100V X7S 1812
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TDK |
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TDK |
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TDK |
21+ |
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TDK/东电化 |
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