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C4532X7S2A475M中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
C4532X7S2A475M |
| 参数属性 | C4532X7S2A475M 封装/外壳为1812（4532 公制）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为电容器 > 陶瓷电容器；C4532X7S2A475M应用范围：通用；产品描述：CAP CER 4.7UF 100V X7S 1812 |
| 功能描述 | RF Power LDMOS Transistor |
| 文件大小 |
364.8 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-21 19:09:00 |
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产品属性
- 产品编号：
C4532X7S2A475M230KB
- 制造商：
TDK Corporation
- 类别：
电容器 > 陶瓷电容器
- 系列：
C
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 容差：
±20%
- 电压 - 额定：
100V
- 温度系数：
X7S
- 工作温度：
-55°C ~ 125°C
- 应用：
通用
- 安装类型：
表面贴装，MLCC
- 封装/外壳：
1812（4532 公制）
- 大小 / 尺寸：
0.177" 长 x 0.126" 宽（4.50mm x 3.20mm）
- 厚度（最大值）：
0.098"（2.50mm）
- 描述：
CAP CER 4.7UF 100V X7S 1812
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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