Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode

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PerkinElmer

Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode

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PerkinElmer

Silicon Avalanche Photodiodes (APDs) for LIDAR, range finding and laser meters ??plastic, leadless ceramic and FR4 packages

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High Current Switching Applications

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TOSHIBA

东芝

Silicon Photomultipliers with 3x3 mm짼 active area

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丝印：C3074；Package：SC-73；Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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TOSHIBA

东芝

丝印：C3076；Package：SC-70；Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

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TOSHIBA

东芝

大容量、高成本效益型Si APD

C30724系列APD在800至950 nm的波长范围内具有高响应度，上升和下降时间约为5 ns，下降时间无“拖尾”特征。该系列APD非常适合大体积905 nm激光测距应用，可在固定电压下工作，无需温度补偿。C30724EH的特别之处是采用气密TO-18金属封装。\n\n主要特性：\n\n采用金属TO罐体封装带905 nm滤光片的Si APD\n\n5 ns上升+下降时间-无拖尾\n\n低放大倍数下运行\n\n无需温度补偿\n\n关键应用：\n\n激光测距\n\n激光测距仪\n\n交通测速枪 • 感光面积：0.2mm2\n\n• 感光直径：0.5 mm\n\n• 击穿电压：350V\n\n• 电容：1 pF\n\n• 暗电流：20 nA\n\n• 增益：>12、15、<18\n\n• 噪声电流：0.1pA/√Hz\n\n• 封装：TO-18\n\n• 峰值灵敏度波长：920 nm\n\n• 光敏直径：0.5 mm\n\n• 光敏直径：0.5 mm\n\n• 响应度：在920 nm处为8.5 A/W\n\n• 上升/下降时间：5 ns\n\n• 总暗电流（基板+表面）：20 nA\n\n• 工作电压范围：150-200 V\n\n• 波长：400-1100nm;

Excelitas

埃赛力达

大容量、高成本效益型Si APD

C30724PH Si APD针对800至950 nm的波长范围进行了优化。该硅APD特别适合大批量905 nm激光测距应用，可以在固定电压下运行，无需温度补偿。\n\n主要特性：\n\n带有920 nm峰值灵敏度波长的Si APD\n\n大体积设备\n\n塑料TO封装\n\n5 ns上升+下降时间-无拖尾\n\n低放大倍数下运行\n\n无需温度补偿\n\n应用领域：\n\n激光测距\n\n激光测距仪\n\n交通测速枪 • 感光直径：0.5 mm\n\n• 击穿电压：350V\n\n• 电容：1 pF\n\n• 暗电流：20、<40 nA\n\n• 增益：>12、15、<18\n\n• 噪声电流：0.1、<0.25 pA/√Hz\n\n• 封装：T1 ¾塑料（TO-18）\n\n• 峰值灵敏度波长：920 nm\n\n• 响应度：在920 nm处为8.5 A/W\n\n• 上升/下降时间：5 ns\n\n• 总暗电流（基板+表面）：20、<40 nA\n\n• 工作电压范围：120-200 V\n\n• 波长：400-1100nm;

Excelitas

埃赛力达

大容量、高成本效益型Si APD

主要特性：\n\n在635nm处过滤的高响应度\n\n在所有波长处均噪声低且上升速度极快，响应频率高于1.5 GHz\n\n230μm感光直径，针对800nm响应进行了优化\n\n635nm光学带通滤光片\n\n无引脚陶瓷载体选项“LH”\n\n应用领域：\n\nLiDAR\n\n激光测距\n\n安全扫描\n\n需要低成本、高性能探测器的应用\n\n • 感光直径：230μm\n• 峰值灵敏度波长：635 nm\n• 击穿电压Vbd：120-210（提供分选）\n• 常数M的工作电压温度系数：0.5 V/°C\n• 增益：在635 nm处为100\n• 响应度：在800 nm处为35 A/W\n• 暗电流Id：0.05 <0.5 nA\n• 噪声电流：0.1pA/√Hz\n• 电容：1 pF\n• 上升/下降时间：0.2 ns R 负载 = 50Ω\n• 截止频率：1.5 GHz\n• 储存温度：-50°C至+100°C\n• 工作温度：-40°C至+85°C\n• 封装：3x3mm玻璃窗，无引脚陶瓷载体(LCC)\n• 窗口：635 nm;

Excelitas

埃赛力达