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C30737P-230

Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode

文件:101.25 Kbytes 页数:5 Pages

PERKINELMER

C30737P-500

Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode

文件:101.25 Kbytes 页数:5 Pages

PERKINELMER

C30737PH

Silicon Avalanche Photodiodes (APDs) for LIDAR, range finding and laser meters ??plastic, leadless ceramic and FR4 packages

文件:1.113 Mbytes 页数:14 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

C3074

High Current Switching Applications

文件:189.25 Kbytes 页数:5 Pages

TOSHIBA

东芝

C30742-33

Silicon Photomultipliers with 3x3 mm짼 active area

文件:687.93 Kbytes 页数:5 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

2SC3074

丝印:C3074;Package:SC-73;Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件:1.58274 Mbytes 页数:73 Pages

TOSHIBA

东芝

2SC3076

丝印:C3076;Package:SC-70;Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

文件:1.58274 Mbytes 页数:73 Pages

TOSHIBA

东芝

C30703FH-200

大面积UV增强型APD

功能与优点:\n\n高量子效率\n\n弱暗电流\n\n易于与闪烁晶体耦合\n\n不受电磁场干扰\n\n短波响应度提高。可提供定制封装\n\n优异的时间分辨率\n\n符合RoHS标准\n\n应用领域:\n\n高能物理学\n\n辐射探测\n\n粒子物理学\n\n仪器\n\n环境监测\n\n • 感光面积:100 mm²\n• 工作电压范围:275 - 425V\n• 电容:60 pF\n• 暗电流:250 nA\n• 噪声电流:0.7pA/√Hz\n• NEP:40 fW/√Hz,530nm\n• 封装:扁平封装\n• 峰值灵敏度波长:530 nm\n• 光敏面积:10 x 10 mm\n• 响应时间:5 ns\n• 响应度:在530 nm处为16 A/W;

Excelitas

埃赛力达

C30723GH

铟镓砷PIN光电二极管

功能与优点:\n\n提供超低电容选择 \n\n在1300 nm和1550 nm处响应度高\n\n感光面直径:5.0 mm\n\n大动态范围内的高线性度\n\n提供各种完善的TO封装\n\n可以进行封装定制(例如添加TEC)\n\n符合RoHS标准\n\n应用领域:\n\n光功率计\n\n光纤测试通讯\n\n近IR光谱\n\n激光仿形台\n\n仪器\n\nLiDAR\n\n • 击穿电压:> 10 V\n• 工作电压:5 V\n• 光伏电容:950 pF\n• 暗电流(1V时):20.0nA\n• 封装:TO-8\n• 在1300和1550 nm具有高响应度\n• 响应度:• 850 nm时为0.20 A/W\n• 1300 nm时为0.90 A/W\n• 1550 nm时为0.95 A/W\n\n;

Excelitas

埃赛力达

C30724EH

大容量、高成本效益型Si APD

C30724系列APD在800至950 nm的波长范围内具有高响应度,上升和下降时间约为5 ns,下降时间无“拖尾”特征。该系列APD非常适合大体积905 nm激光测距应用,可在固定电压下工作,无需温度补偿。C30724EH的特别之处是采用气密TO-18金属封装。\n\n主要特性:\n\n采用金属TO罐体封装带905 nm滤光片的Si APD\n\n5 ns上升+下降时间-无拖尾\n\n低放大倍数下运行\n\n无需温度补偿\n\n关键应用:\n\n激光测距\n\n激光测距仪\n\n交通测速枪 • 感光面积:0.2mm2\n\n• 感光直径:0.5 mm\n\n• 击穿电压:350V\n\n• 电容:1 pF\n\n• 暗电流:20 nA\n\n• 增益:>12、15、<18\n\n• 噪声电流:0.1pA/√Hz\n\n• 封装:TO-18\n\n• 峰值灵敏度波长:920 nm\n\n• 光敏直径:0.5 mm\n\n• 光敏直径:0.5 mm\n\n• 响应度:在920 nm处为8.5 A/W\n\n• 上升/下降时间:5 ns\n\n• 总暗电流(基板+表面):20 nA\n\n• 工作电压范围:150-200 V\n\n• 波长:400-1100nm;

Excelitas

埃赛力达

技术参数

  • 包装:

    散装

  • 零件状态:

    在售

  • 波长:

    800nm

  • 频谱范围:

    800nm ~ 1000nm

  • 二极管类型:

    雪崩

  • 不同 nm 时响应度:

    50 A/W @ 800nm

  • 响应时间:

    200ps

  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):

    210 V

  • 电流 - 暗(典型值):

    2.5nA

  • 有效面积:

    230µm 直径

  • 工作温度:

    -20°C ~ 60°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-CLCC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO-252
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进口原装现货假一罚十价格合理
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TOSHIBA/东芝
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更多C307供应商 更新时间2026-1-18 16:30:00