Silicon Avalanche Photodiodes (APDs) for LIDAR, range finding and laser meters ??plastic, leadless ceramic and FR4 packages

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

大容量、高成本效益型Si APD

主要特性：\n\n介于500至1000 nm之间的高响应度\n\n在所有波长处噪声低且上升速度极快，响应频率高于1.5 GHz\n\n230 μm感光直径，针对800 nm峰值灵敏度进行了优化\n\n塑料T1¾选项“PH”\n\n应用领域：\n\nLiDAR\n\n激光测距\n\n安全扫描\n\n需要低成本、高性能探测器的应用 • 感光直径：230μm\n\n• 峰值灵敏度波长：800 nm\n\n• 击穿电压Vbd：120-210（提供分选）\n\n• 常数M的工作电压温度系数：0.5 V/°C\n\n• 增益：在800nm处为100\n\n• 响应度：在800 nm处为50 A/W\n\n• 暗电流Id：0.05 <0.5 nA\n\n• 噪声电流：0.1pA/√Hz\n\n• 电容：1 pF\n\n• 上升/下降时间：0.2 ns R 负载 = 50Ω\n\n• 截止频率：1.5 GHz\n\n• 储存温度：-50°C至+100°C\n\n• 工作温度：-40°C至+85°C\n\n• 封装：塑料T 1-3/4;

Excelitas

埃赛力达

Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode

文件：101.25 Kbytes 页数：5 Pages

PerkinElmer

SMD

TDK

东电化

上传：君宇国际实业有限公司

SMD

TDK

东电化

上传：深圳市宇集芯电子有限公司