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UPA2719AGR	文件：357.92 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2719AGRisP-ChannelMOSFieldEffect Transistordesignedforpowermanagementapplicationsof notebookcomputersandLithium-Ionbatteryprotection circuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=13mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−5.0A) RDS(on)2=20.9mΩMAX.(VGS	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2719GR	文件：358.32 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2719GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=13mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−5.0A) RDS(on)2=20.9mΩMAX.(VGS=−4.5	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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详细参数

型号：
C2719
制造商：
HAMAMATSU
制造商全称：
Hamamatsu Corporation
功能描述：
Photosensor amplifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	C2719	NEC	24+	TO-92	5000		询价
深圳市亿智腾科技有限公司	C2719		24+	TO-92	6430	原装现货/欢迎来电咨询	询价
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更多C2719供应商更新时间2025-7-17 16:30:00

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