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FDB2570	文件：81.69 Kbytes Page：5 Pages	150VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesigned specificallyforswitchingontheprimarysideinthe isolatedDC/DCconverterapplication.Anyapplication requiringa150VMOSFETswithlowon-resistanceand fastswitchingwillbenefit. TheseMOSFETsfeaturefastersw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDB2570	文件：332.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=80mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD2570	文件：99.92 Kbytes Page：5 Pages	150VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. Features •4.7A,150V.RDS(ON)=80mΩ@VGS=10VRDS(ON)=90mΩ@VGS=6V •Lowgatecharge	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD2570	文件：299.45 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4.7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=80mΩ(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDD2570	文件：813.97 Kbytes Page：4 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=150V,ID=20A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
FDP2570	文件：81.69 Kbytes Page：5 Pages	150VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesigned specificallyforswitchingontheprimarysideinthe isolatedDC/DCconverterapplication.Anyapplication requiringa150VMOSFETswithlowon-resistanceand fastswitchingwillbenefit. TheseMOSFETsfeaturefastersw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP2570	文件：332.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=150V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=80mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDS2570	文件：232.36 Kbytes Page：8 Pages	150VN-ChannelPowerTrenchMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers. Features •4A,150V.RDS(ON)=80mΩ@VGS=10VRDS(ON)=90mΩ@VGS=6V •Lowgatecharge •	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS2570	文件：85.88 Kbytes Page：12 Pages	PowerConverterTopologyandMOSFETSelectionfor48-VTelecom	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS2570	文件：106.86 Kbytes Page：6 Pages	150VN-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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