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MAX1921EUT__+T	文件：1.92605 Mbytes Page：12 Pages	Low-Voltage,400mAStep-DownDC-DCConvertersinSOT23	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX1921EUT__-T	文件：1.92605 Mbytes Page：12 Pages	Low-Voltage,400mAStep-DownDC-DCConvertersinSOT23	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX1921EUT-T	文件：370.78 Kbytes Page：9 Pages	Low-Voltage,400mAStep-DownDC-DCConvertersinSOT23 GeneralDescription TheMAX1920/MAX1921step-downconvertersdeliverover400mAtooutputsaslowas1.25V.Theseconvertersuseauniqueproprietarycurrent-limitedcontrolschemethatachievesover90efficiency.Thesedevicesmaintainextremelylowquiescentsupplycurrent(50μA),andtheirhi	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX1921EVKIT	文件：95.89 Kbytes Page：4 Pages	fullyassembledandtestedEvaluationKit	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MDF1921	文件：985.53 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-channelTrenchMOSFET100V,60A,4.8m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDF1921TH	文件：985.53 Kbytes Page：6 Pages	SingleN-channelTrenchMOSFET100V,60A,4.8m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP1921	文件：1.10477 Mbytes Page：6 Pages	SingleN-channelTrenchMOSFET100V,120A,4.5m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP1921	文件：318.42 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MDP1921TH	文件：1.10477 Mbytes Page：6 Pages	SingleN-channelTrenchMOSFET100V,120A,4.5m(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP1921TH	文件：331.7 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=120A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	C1923	KEC	24+	TO-92	15830		询价
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