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|---|---|---|---|---|
Marking：C1383；Package：TO-92L；TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES LowCollectortoEmitterSaturationVoltageVCE(sat). ComplementaryPairwith2SA0683and2SA0684. | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 | DGNJDZ | ||
Marking：C1383；Package：TO-92L；TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES LowCollectortoEmitterSaturationVoltageVCE(sat). ComplementaryPairwith2SA0683and2SA0684. | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 | DGNJDZ | ||
Marking：C1384；Package：TO-92L；TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES LowCollectortoEmitterSaturationVoltageVCE(sat). ComplementaryPairwith2SA0683and2SA0684. | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 | DGNJDZ | ||
Marking：C1384；Package：TO-92L；TO-92L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES LowCollectortoEmitterSaturationVoltageVCE(sat). ComplementaryPairwith2SA0683and2SA0684. | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 | DGNJDZ | ||
Marking：C1675；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES LowCollectorCurrent GeneralPurposeSwitchingandAmplification | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 | DGNJDZ | ||
Marking：C1675；Package：TO-92；TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES LowCollectorCurrent GeneralPurposeSwitchingandAmplification | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 | DGNJDZ | ||
Marking：C1815；Package：TO-92；Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications AudioFrequencyVoltageAmplifierApplications LowNoiseAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage,highcurrentcapability :VCEO=50V(min),IC=150mA(max) •ExcellentlinearityofhFE :hFE(2)=100(typ.)atVCE=6V,IC=150mA :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
Marking：C1815；Package：TO-92；TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) AudioFrequencyVoltageAmplifierApplications LowNoiseAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage,highcurrentcapability :VCEO=50V(min),IC=150mA(max) •ExcellentlinearityofhFE :hFE(2)=100(typ.)atVCE=6V,IC=150mA :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
Marking：C1815；Package：TO-92；Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications DriverStageAmplifierApplications •Highvoltageandhighcurrent: VCEO=50V(min), IC=150mA(max) •ExcellenthFElinearity:hFE(2)=100(typ.) atVCE=6V,IC=150mA :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA)=0.95( | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
Marking：C1815；Package：TO-92；Silicon NPN Epitaxail Type(for Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications) AudioFrequencyVoltageAmplifierApplications LowNoiseAmplifierApplications •Highbreakdownvoltage,highcurrentcapability :VCEO=50V(min),IC=150mA(max) •ExcellentlinearityofhFE :hFE(2)=100(typ.)atVCE=6V,IC=150mA :hFE(IC=0.1mA)/hFE(IC=2mA) | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
替换型号
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Ge-PNP
- 性质：
通用型 （Uni）
- 封装形式：
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
0.75W
- 放大倍数：
- 图片代号：
NO
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
1
- wtest：
0.75
产品属性
- 产品编号：
C1
- 制造商：
Altech Corporation
- 类别：
开关 > 可配置开关元件 - 触头块，触点块
- 包装：
散装
- 描述：
CONTACT BLOCK NOPNL MNT GRN CLIP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MPS |
24+ |
TSOT23-5 |
42126 |
进口MPS原装现货 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
SOD323 |
15000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
ADI/亚德诺 |
QFN |
6698 |
询价 | ||||
24+ |
N/A |
46000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
S |
25+ |
TSSOP8 |
60 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
24+ |
SOT223 |
213 |
现货供应 |
询价 | ||
ROHM/罗姆 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
HP |
23+ |
12000 |
现货库存 |
询价 | |||
ON/安森美 |
23+ |
13 |
6500 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
13 |
6500 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 |
