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FTK0910D	文件：912.76 Kbytes Page：5 Pages	100VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK0910S	文件：990.76 Kbytes Page：5 Pages	100VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
IRB0910	文件：104.23 Kbytes Page：2 Pages	THRU-HOLEINDUCTORSIRSeries:RadialLeaded,LowtoMediumCurrent	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
MAZS0910H	文件：49.05 Kbytes Page：4 Pages	Siliconplanartype	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MAZS0910L	文件：49.05 Kbytes Page：4 Pages	Siliconplanartype	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MAZS0910M	文件：49.05 Kbytes Page：4 Pages	Siliconplanartype	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MGF0910A	文件：213.81 Kbytes Page：4 Pages	High-powerGaAsFET(smallsignalgainstage)	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MGF0910A	文件：207.96 Kbytes Page：4 Pages	L,SBANDPOWERGaAsFET	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MGF0910A	文件：26.22 Kbytes Page：3 Pages	L,SBANDPOWERGaAsFET DESCRIPTION TheMGF0910A,GaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinUHFbandamplifiers. FEATURES •ClassAoperation •Highoutputpower P1dB=38.0dBm(TYP.)@f=2.3GHz •Highpowergain GLP=11.0dB(TYP.)@f=2.3GHz •Highpoweraddedefficiency P.A.E=	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MSA-0910	文件：53.85 Kbytes Page：4 Pages	CascadableSiliconBipolarMMICAmplifier Description TheMSA-0910isahighperformancesiliconbipolarMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit(MMIC)housedinahermetic,highreliabilitypackage.ThisMMICisdesignedforverywidebandwidthindustrialandmilitaryapplicationsthatrequireflatgainandlowVSWR. Features •Broadb	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP

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深圳市艾宇欣科技有限公司	C0910A.41.10	General	1935+	N/A	55	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
深圳市易讯博科技有限公司	C0910A.41.10	General	22+	NA	55	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
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更多C0910A供应商更新时间2025-7-24 9:50:00

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