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MAZS0910L

Silicon planar type

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PANASONIC

松下

MAZS0910M

Silicon planar type

文件:49.05 Kbytes 页数:4 Pages

PANASONIC

松下

MGF0910A

L, S BAND POWER GaAs FET

DESCRIPTION The MGF0910A, GaAs FET with an N-channel schottky gate, is designed for use in UHF band amplifiers. FEATURES • Class A operation • High output power P1dB=38.0dBm(TYP.) @f=2.3GHz • High power gain GLP=11.0dB(TYP.) @f=2.3GHz • High power added efficiency P.A.E =

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MITSUBISHI

三菱电机

MGF0910A

High-power GaAs FET (small signal gain stage)

文件:213.81 Kbytes 页数:4 Pages

MITSUBISHI

三菱电机

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PANASONIC
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松下
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PANASONIC/松下
2026+
SOD0402
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更多MAZS0910L供应商 更新时间2026-1-26 15:31:00