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IRB0910	文件：104.23 Kbytes Page：2 Pages	THRU-HOLE INDUCTORS IR Series: Radial Leaded, Low to Medium Current	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE
MAZS0910H	文件：49.05 Kbytes Page：4 Pages	Siliconplanartype	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MAZS0910L	文件：49.05 Kbytes Page：4 Pages	Siliconplanartype	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MAZS0910M	文件：49.05 Kbytes Page：4 Pages	Siliconplanartype	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MGF0910A	文件：207.96 Kbytes Page：4 Pages	L,SBANDPOWERGaAsFET	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MGF0910A	文件：26.22 Kbytes Page：3 Pages	L,SBANDPOWERGaAsFET DESCRIPTION TheMGF0910A,GaAsFETwithanN-channelschottkygate,isdesignedforuseinUHFbandamplifiers. FEATURES •ClassAoperation •Highoutputpower P1dB=38.0dBm(TYP.)@f=2.3GHz •Highpowergain GLP=11.0dB(TYP.)@f=2.3GHz •Highpoweraddedefficiency P.A.E=	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MGF0910A	文件：213.81 Kbytes Page：4 Pages	High-powerGaAsFET(smallsignalgainstage)	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MSA-0910	文件：53.85 Kbytes Page：4 Pages	CascadableSiliconBipolarMMICAmplifier Description TheMSA-0910isahighperformancesiliconbipolarMonolithicMicrowaveIntegratedCircuit(MMIC)housedinahermetic,highreliabilitypackage.ThisMMICisdesignedforverywidebandwidthindustrialandmilitaryapplicationsthatrequireflatgainandlowVSWR. Features •Broadb	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
P0910AS	文件：547.97 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	UNIKCWuxi U-NIKC Semiconductor CO.,LTD 旭康微无锡旭康微电子有限公司	UNIKC
PA0910	文件：631.28 Kbytes Page：4 Pages	HighFrequencyPlanarTransformers	pulse Pulse A Technitrol Company	pulse

详细参数

型号：
IRB0910
制造商：
RFE
制造商全称：
RFE international
功能描述：
THRU-HOLE INDUCTORS IR
Series：
Radial Leaded, Low to Medium Current

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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