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C0805C103K5RAC	文件：466.54 Kbytes Page：13 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 文件：466.54 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
C0805C103K5RAC	文件：319.31 Kbytes Page：13 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 文件：319.31 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
C0805C103K5RAC	文件：377.12 Kbytes Page：13 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier 文件：377.12 Kbytes 页数：13 Pages	恩XP	恩XP
C0805C103K5RAC	文件：571.74 Kbytes Page：14 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 文件：571.74 Kbytes 页数：14 Pages	恩XP	恩XP
C0805C103K5RACTU	文件：491.07 Kbytes Page：15 Pages	Airfast RF Power GaN Transistor 1 General description This 85 W asymmetrical Doherty RF power GaN transistor is designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability covering the frequency range of 1930 to 1995 MHz. This part is characterized and performance is guaranteed for ap 文件：491.07 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
C0805C103K5RAC7210	文件：60.33 Kbytes Page：1 Pages	SMD Comm X7R, Ceramic, 0.01 uF, 10, 50 VDC, X7R, SMD, MLCC, Temperature Stable, Class II, 0805 文件：60.33 Kbytes 页数：1 Pages	KEMETKEMET Corporation 基美	KEMET
C0805C103K5RACAUTO	文件：72.24 Kbytes Page：1 Pages	Ceramic, AUTO-(CxxxxC-AUTO), 0.01 uF, 10, 50 V, 0805, X7R, SMD, MLCC, Temperature Stable, Automotive Grade 文件：72.24 Kbytes 页数：1 Pages	KEMETKEMET Corporation 基美	KEMET
C0805C103K5RACT	文件：739.07 Kbytes Page：20 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 文件：739.07 Kbytes 页数：20 Pages	恩XP	恩XP
C0805C103K5RACT	文件：542.29 Kbytes Page：16 Pages	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers 文件：542.29 Kbytes 页数：16 Pages	恩XP	恩XP
C0805C103K5RACTU	文件：71.45 Kbytes Page：1 Pages	Ceramic, Commercial-(CxxxxC), 0.01 uF, 10, 50 V, 0805, X7R, SMD, MLCC, Temperature Stable, Class II 文件：71.45 Kbytes 页数：1 Pages	KEMETKEMET Corporation 基美	KEMET

技术参数

Capacitance Tolerance：
10%
Voltage DC：
50 VDC
Temperature Range：
-55/+125°C
Temperature Coefficient：
X7R
RoHS：
Yes
Termination：
Tin
Qualifications：
AEC-Q200
Chip Size：
0805
Packaging：
T&R
Packaging Quantity：
4000

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