丝印：C010；Package：DFN1010B-6；45 V, 100 mA NPN/NPN matched double transistors

Features and benefits • Reduces component count • Reduces pick and place costs • Low package height of 0.37 mm • Current gain matching • Base-emitter voltage matching • Application-optimized pinout • AEC-Q101 qualified

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安世安世半导体(中国)有限公司

丝印：C010N；Package：TO-252；N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

丝印：C010N；Package：SOP-8；N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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杜因特

丝印：C010AJ；Package：SMC；1500W Transient Voltage Suppressor

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瑞能半导体

丝印：C010CJ；Package：SMC；1500W Transient Voltage Suppressor

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瑞能半导体

丝印：C010N；Package：DFN3*3-8；N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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杜因特

丝印：C010P；Package：DNF3*3-8；P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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