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CEV2301A	文件：519.96 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-1.5A,RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-323package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CHT2301PT	文件：307.26 Kbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE20VoltsCURRENT2.3Ampere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-59/SOT-346) HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). Suitableforhighpackingdensity. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICATION *	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CHT2301WPT	文件：654.48 Kbytes Page：3 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE20VoltsCURRENT2.3Ampere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-70/SOT-323) HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). Suitableforhighpackingdensity. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICAT	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
CJ2301	文件：390.99 Kbytes Page：6 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJ2301	文件：2.27301 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
CJ2301B	文件：1.78748 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
CJ2301-HF	文件：131.13 Kbytes Page：5 Pages	MOSFET	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CJ2301S	文件：1.26026 Mbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
CJ2301S	文件：1.30828 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
CJL2301	文件：850.34 Kbytes Page：5 Pages	DualP-ChannelMOSFET	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

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