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C-2301UB-A	文件：197.34 Kbytes Page：10 Pages	2.24 INCH SINGLE DIGIT DISPLAY	PARALIGHTPARA LIGHT ELECTRONICS CO., LTD. 光鼎电子光鼎电子股份有限公司	PARALIGHT
C-2301Y	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	SINGLEDIGITDISPLAY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
C-2301Y	文件：208.76 Kbytes Page：11 Pages	2.24INCHSINGLEDIGITDISPLAY C/A-2301XSINGLEDIGITDISPLAY 1.Alldimensionareinmillimeters(inches). 2.Toleranceis±0.25mm(0.01”)unlessotherwisespecified.	PARALIGHTPARA LIGHT ELECTRONICS CO., LTD. 光鼎电子光鼎电子股份有限公司	PARALIGHT
CEN2301	文件：550.11 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-2.7A,RDS(ON)=110mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=160mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. Lead-freeplating;RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEN2301A	文件：926.25 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-3A,RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23-Tpackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2301	文件：109.38 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-20V,-2.8A,RDS(ON)=100mΩ@VGS=-4.5V. RDS(ON)=150mΩ@VGS=-2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■SOT-23package. ■Leadfreeproductisacquired.	CETChino-Excel Technology 华瑞华瑞股份有限公司	CET
CES2301	文件：1.04003 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CES2301	文件：591.38 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-2.8A,RDS(ON)=100mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=150mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CES2301A	文件：917.93 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-3A,RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS
CEV2301	文件：606.8 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES -20V,-1.3A,RDS(ON)=110mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=160mW@VGS=-2.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-323package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET-MOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	C-2301Y	PARALIGHT光鼎	25+	SMD	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市一线半导体有限公司	C2302	NEC	24+	TO-66	1633		询价
艾睿国际（香港）有限公司	C23032-106ZN-L	ALLTOP	2447	SMD	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
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