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CHT2301WPT	文件：654.48 Kbytes Page：3 Pages	P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE20VoltsCURRENT2.3Ampere FEATURE Smallsurfacemountingtype.(SC-70/SOT-323) HighdensitycelldesignforlowRDS(ON). Suitableforhighpackingdensity. Ruggedandreliable. Highsaturationcurrentcapability. Voltagecontrolledsmallsignalswitch. APPLICAT	CHENMKOCHENMKO CHENMKO
2301	文件：170.48 Kbytes Page：3 Pages	1.5Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz GENERALDESCRIPTION The2301isaCOMMONBASEtransistorcapableofproviding1.5WattsClassC,RFoutputpowerat2300MHz.Goldmetalizationanddiffusedballastingareusedtoprovidehighreliabilityandsupremeruggedness.ThetransistorusesafullyhermeticHighTemperatureSolderSealed	GHZTECHGHz Technology GHz Technology
2301	文件：5.03147 Mbytes Page：5 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司
2301	文件：111.41 Kbytes Page：4 Pages	-2.8A竊?20VP-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
2301	文件：171.02 Kbytes Page：3 Pages	10VP-ChannelEnhancedMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
2301A	文件：194.72 Kbytes Page：3 Pages	9VPchannelenhancedMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
2301-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2301-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2301-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2301-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2301-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2301S	文件：194.8 Kbytes Page：3 Pages	9VPchannelenhancedMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
A-2301E	文件：202.06 Kbytes Page：10 Pages	2.24INCHSINGLEDIGITDISPLAY C/A-2301XSINGLEDIGITDISPLAY 1.Alldimensionareinmillimeters(inches). 2.Toleranceis±0.25mm(0.01”)unlessotherwisespecified.	PARALIGHTPARA LIGHT ELECTRONICS CO., LTD. 光鼎電子光鼎電子股份有限公司
A-2301E	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	SINGLEDIGITDISPLAY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
A-2301G	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	SINGLEDIGITDISPLAY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
A-2301G-A	文件：200.64 Kbytes Page：10 Pages	2.24INCHSINGLEDIGITDISPLAY	PARALIGHTPARA LIGHT ELECTRONICS CO., LTD. 光鼎電子光鼎電子股份有限公司
A-2301H	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	SINGLEDIGITDISPLAY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
A-2301SR	文件：71.78 Kbytes Page：1 Pages	SINGLEDIGITDISPLAY	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
A-2301SRD-A	文件：198.65 Kbytes Page：10 Pages	2.24INCHSINGLEDIGITDISPLAY	PARALIGHTPARA LIGHT ELECTRONICS CO., LTD. 光鼎電子光鼎電子股份有限公司
A-2301UB	文件：198.55 Kbytes Page：10 Pages	2.24INCHSINGLEDIGITDISPLAY	PARALIGHTPARA LIGHT ELECTRONICS CO., LTD. 光鼎電子光鼎電子股份有限公司

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详细参数

型号：
CHT2301WPT
制造商：
CHENMKO
制造商全称：
Chenmko Enterprise Co. Ltd.
功能描述：
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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