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IRF1405	文件：338.97 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1405	文件：3.36263 Mbytes Page：9 Pages	ElectricPowerSteering(EPS) Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemp	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1405L	文件：154.79 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=5.3mohm,Id=131A?? Description StripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveav	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405L	文件：3.92361 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description StripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveav	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1405LPBF	文件：240.27 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET(VDSS=55V,RDS(on)=5.3m廓,ID=131A) Description StripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveav	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405PBF	文件：207.62 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=55V RDS(on)=5.3mΩ ID=169A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOS	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405PBF	文件：263.89 Kbytes Page：9 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405S	文件：154.79 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=55V,Rds(on)=5.3mohm,Id=131A?? Description StripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveav	IRF International Rectifier	IRF
IRF1405S	文件：3.92361 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description StripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveav	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF1405S	文件：263.54 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
C-1405
制造商：
Stancor
功能描述：
500MA SWING CHOKE

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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