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BYV30JT-600P	文件：276.05 Kbytes Page：10 Pages	Ultrafast recovery diode 文件：276.05 Kbytes 页数：10 Pages	WEEN 瑞能半导体	WEEN
BYV30W-600P	文件：409 Kbytes Page：10 Pages	丝印：BYV30W-600P；Package：TO-247；Ultrafast power diode 文件：409 Kbytes 页数：10 Pages	WEEN 瑞能半导体	WEEN
BYV30W-600PT2	文件：476.08 Kbytes Page：10 Pages	丝印：BYV30W600PT2；Package：TO247-2L；Ultrafast power diode 文件：476.08 Kbytes 页数：10 Pages	WEEN 瑞能半导体	WEEN
BYV30W-600PT2Q	文件：476.08 Kbytes Page：10 Pages	Ultrafast power diode 文件：476.08 Kbytes 页数：10 Pages	WEEN 瑞能半导体	WEEN
BYV30X-600P	文件：414.13 Kbytes Page：10 Pages	丝印：BYV30X-600P；Package：TO-220F；Ultrafast power diode 文件：414.13 Kbytes 页数：10 Pages	WEEN 瑞能半导体	WEEN
BYV30-600P	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power diodes Ultrafast power diode in a SOD59 (2-lead TO-220AC) plastic package. • Fast switching\n• Very low on-state loss\n• Low leakage current\n• Low thermal resistance;	WeEn 瑞能半导体	WeEn
BYV30-400	文件：300 bytes Page：1 Pages	Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57	NJS	NJS
BYV30-500	文件：300 bytes Page：1 Pages	Diode Switching 800V 2A 2-Pin SOD-57	NJS	NJS
BYV30B-600PJ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V 30A D2PAK	WEEN 瑞能半导体	WEEN
BYV30JT-600PQ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-3P-3，SC-65-3；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P	WEEN 瑞能半导体	WEEN

技术参数

Peak Reverse Repetitive Voltage：
800V
Peak Reverse Recovery Time：
300ns
Peak Reverse Current：
5uA
Peak Non-Repetitive Surge Current：
50A
Peak Forward Voltage：
1.1@1AV
Operating Junction Temperature：
-55 to 175°C
Minimum Operating Temperature：
-55°C
Maximum Operating Temperature：
175°C
Maximum Continuous Forward Current：
2A
Configuration：
Single

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市联世界科技有限公司	BYV30-400	PHI	24+/25+		26	原装正品现货库存价优	询价
深圳市弘为电子有限公司	BYV30-100	PHI	24+	DO-4	1000	原装现货假一罚十	询价
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更多BYV30供应商更新时间2026-1-17 14:30:00

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