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BYV30JT-600PQ

Package:TO-3P-3,SC-65-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P

WEEN

瑞能半导体

BYC30JT-600P

Hyperfast Power Diode

FEATURES · Low Switching Losses · Low Leakage Current · Ultrafast recovery time APPLICATIONS · Switched-Mode Power Supplies · Power factor correction diode · Uninterrupted Power Supply

文件:306.46 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BYV30JT-600P

Ultrafast Power Diode

FEATURES · High thermal cycling performance · Low on-state losses · Low thermal resistance · Soft recovery characteristic APPLICATIONS · Home appliance power supply · Power Factor Correction (PFC) for Interleaved Topology

文件:324.31 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BYV30JT-600P

Ultrafast recovery diode

文件:276.05 Kbytes 页数:10 Pages

WEEN

瑞能半导体

产品属性

  • 产品编号:

    BYV30JT-600PQ

  • 制造商:

    WeEn Semiconductors

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    30A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 工作温度 - 结:

    175°C(最大)

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P

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更多BYV30JT-600PQ供应商 更新时间2025-11-1 15:01:00