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BYV30JT-600P中文资料PDF规格书

BYV30JT-600P
厂商型号

BYV30JT-600P

参数属性

BYV30JT-600P 封装/外壳为TO-3P-3,SC-65-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P

功能描述

Ultrafast recovery diode

文件大小

276.05 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 WeEn Semiconductors
企业简称

WEEN瑞能半导体

中文名称

瑞能半导体科技股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-6-3 22:30:00

产品属性

  • 产品编号:

    BYV30JT-600PQ

  • 制造商:

    WeEn Semiconductors

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    30A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-3P-3,SC-65-3

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 工作温度 - 结:

    175°C(最大)

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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