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BY268TAP

Package:SOD-57,轴向;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 1.4KV 800MA SOD57

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

CM268

T-1 3/4 Midget Flange Base

T-1 3/4 Midget Flange Base

文件:222.37 Kbytes 页数:1 Pages

CML

CM268

Midget Flange Base

文件:35.66 Kbytes 页数:1 Pages

VCC

CP268

Power Transistor NPN - High Voltage Transistor Chip

PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 63 x 63 MILS Die Thickness 10 MILS Base Bonding Pad Area 9 x 12 MILS Emitter Bonding Pad Area 10 x 18 MILS Top Side Metalization Al - 16,000Å Back Side Metalization Au - 12,000Å

文件:203.26 Kbytes 页数:2 Pages

CENTRAL

产品属性

  • 产品编号:

    BY268TAP

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    800mA

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    SOD-57,轴向

  • 供应商器件封装:

    SOD-57

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 1.4KV 800MA SOD57

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOD57
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