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BY268TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOD-57，轴向；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 1.4KV 800MA SOD57	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
CM268	文件：222.37 Kbytes Page：1 Pages	T-1 3/4 Midget Flange Base T-1 3/4 Midget Flange Base 文件：222.37 Kbytes 页数：1 Pages	CML	CML
CM268	文件：35.66 Kbytes Page：1 Pages	Midget Flange Base 文件：35.66 Kbytes 页数：1 Pages	VCC	VCC
CP268	文件：203.26 Kbytes Page：2 Pages	Power Transistor NPN - High Voltage Transistor Chip PROCESS DETAILS Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 63 x 63 MILS Die Thickness 10 MILS Base Bonding Pad Area 9 x 12 MILS Emitter Bonding Pad Area 10 x 18 MILS Top Side Metalization Al - 16,000Å Back Side Metalization Au - 12,000Å 文件：203.26 Kbytes 页数：2 Pages	CENTRAL	CENTRAL

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更多BY268TR供应商更新时间2026-1-17 17:00:00