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BY299Z	文件：56.95 Kbytes Page：2 Pages	FAST RECOVERY RECTIFIER VOLTAGERANGE:100---1000VCURRENT:2.0A FEATURES ◇Lowcost ◇Diffusedjunction ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Highcurrentcapability ◇EasilycleanedwithFreon,Alcohol,Isopropanolandsimilarsolvents ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
299	文件：51.94 Kbytes Page：1 Pages	BladeTerminal&SpecialPurposeFuses-LowVoltage	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
299	文件：290.73 Kbytes Page：1 Pages	PLUGGABLESERIES	DBLECTRODB Lectro Inc 迪贝电子迪贝电子（上海）有限公司	DBLECTRO
299	文件：197.81 Kbytes Page：1 Pages	DUAL-IN-LINESOCKETSRightAngleMountClosedFrame	MILL-MAX Mill-Max Manufacturing Corp.	MILL-MAX
299	文件：97.57 Kbytes Page：3 Pages	CustomerSpecification Construction 1)Component11X1BUSBAR a)Conductor24(SOLID)AWGTinnedCopper	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
299D	文件：132.04 Kbytes Page：8 Pages	Solid-ElectrolyteTANTALEX짰Capacitors,TripoleTriple-Lead,Resin-Coated	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
299x	文件：111.6 Kbytes Page：1 Pages	Laser&detectorchip&TO-canproducts	AVAGOAvago 安华高安华高科技	AVAGO
AN299	文件：1.08534 Mbytes Page：4 Pages	EXTERNAL32.768KHZCRYSTALOSCILLATOR	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司	SILABS
BA299	文件：1.5089 Mbytes Page：84 Pages	512MbC-dieNORFLASH GENERALDESCRIPTION TheK8A(10/11/12/13)15Efeaturingsingle1.8Vpowersupplyisa512MbitMuxedBurstMultiBankFlashMemoryorganizedas32Mx16.Thememoryarchitectureofthedeviceisdesignedtodivideitsmemoryarraysinto512blocks(Uniformblockpart)/515blocks(Bootblockpart)withind	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
BAS299	文件：218.37 Kbytes Page：5 Pages	HIGHSPEEDHIGHCURRENTQUADSWITCHINGDIODE Features •High-SwitchingSpeed,HighCurrent •SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomatedInsertion •ForGeneralPurposeSwitchingApplications •HighConductance •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Qualif	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BF299	文件：142.35 Kbytes Page：2 Pages	NPNHIGHVOLTAGEVIDEOAMPLIFIERS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BSH299	文件：93.63 Kbytes Page：12 Pages	P-channelenhancementmodeMOStransistor DESCRIPTION P-channelenhancementmodeMOStransistorinaSOT363SMDpackage. FEATURES •Lowthresholdvoltage •High-speedswitching •Nosecondarybreakdown •DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. APPLICATIONS •Powermanagement •Batterypoweredapplicationse.g.cellularphones •Gen	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSP299	文件：169.5 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalancherated) SIPMOS®Small-SignalTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •VGS(th)=2.1...4.0V	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BSP299	文件：169.5 Kbytes Page：9 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor SIPMOS®Small-SignalTransistor •Nchannel •Enhancementmode •Avalancherated •VGS(th)=2.1...4.0V •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoAECQ101 •HalogenfreeaccordingtoIEC61249221	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSP299	文件：264.52 Kbytes Page：10 Pages	SIPMOSSmall-SignalTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BY299	文件：128.8 Kbytes Page：2 Pages	SOFTRECOVERYPLASTICRECTIFIER VOLTAGE-100TO800VoltsCURRENT-2.0Ampere FEATURE •Highsurgecurrentcapability •ThePlasticpackagecarriesUnderwriters. •LaboratoryFlammabilityclassification94V-O 2.0AmpereoperationatTA=55OCwithnothermalrunway. •Fastswitchingforhighefficiency •Exceedsenviromen	CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司	CHENG-YI
BY299	文件：139.59 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERS ReverseVoltage–100to800VForwardCurrent–2A Features •Lowforwardvoltagedrop •Lowcost •Lowleakage •Highcurrentcapability	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BY299	文件：164.16 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERRECTIFIER VOLTAGERANGE100to800VoltsCURRENT2.0Ampere FEATURES ●Lowcoatconstruction ●Fastswitchingforhighefficency. ●Lowreverseleakage ●Highforwardsurgecurrentcapability ●Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
BY299	文件：50.06 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERRECTIFIER VOLTAGERANGE100to800VoltsCURRENT2.0Ampere FEATURES ·Lowcoatconstruction ·Fastswitchingforhighefficency. ·Lowreverseleakage ·Highforwardsurgecurrentcapability ·Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	MIC MIC GROUP RECTIFIERS	MIC
BY299	文件：48.55 Kbytes Page：2 Pages	FASTRECOVERYRECTIFIERDIODES PRV:100-800Volts Io:2.0Amperes FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Fastswitchingforhighefficiency	SYNSEMI SynSemi，Inc.	SYNSEMI

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详细参数

型号：
BY299Z
制造商：
BILIN
制造商全称：
Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
功能描述：
FAST RECOVERY RECTIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳廊盛科技有限公司	BY299快恢复二极管	PHY	22+	DO-15	50000	只做原装假一罚十,欢迎咨询	询价
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更多BY299Z供应商更新时间2024-4-29 11:01:00

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