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BULB49D	文件：252.6 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR Description The devices are manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. The devices are designed for use in electronic transformer for halogen lamps. Features ■ High voltage capability ■ Low spread of dynamic paramete 文件：252.6 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BULB49D	文件：275.6 Kbytes Page：11 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor Description The devices are manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. The devices are designed for use in electronic transformer for halogen lamps. Features ■ High voltage capability ■ Low spread of dynamic paramete 文件：275.6 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BULB49D	文件：443.66 Kbytes Page：15 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistors 文件：443.66 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BULB49DT4	文件：275.6 Kbytes Page：11 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistor Description The devices are manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. The devices are designed for use in electronic transformer for halogen lamps. Features ■ High voltage capability ■ Low spread of dynamic paramete 文件：275.6 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BULB49DT4	文件：252.6 Kbytes Page：7 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR Description The devices are manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. The devices are designed for use in electronic transformer for halogen lamps. Features ■ High voltage capability ■ Low spread of dynamic paramete 文件：252.6 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BULB49D-1	文件：443.66 Kbytes Page：15 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistors 文件：443.66 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BULB49DT4	文件：443.66 Kbytes Page：15 Pages	High voltage fast-switching NPN power transistors 文件：443.66 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BULB49D	文件：300 bytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR • High voltage capability\n• Minimum lot-to-lot spread for reliable operation\n• Low spread of dynamic parameters• High ruggedness\n• Very high switching speed;	ST 意法半导体	ST
BULB49DT4	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 450V 5A D2PAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Marketing Status：
NRND
Grade：
Industrial
Transistor Polarity：
NPN
Collector-Emitter Voltage_max(V)：
400
Collector-Base Voltage_max(V)：
850
Collector Current_abs_max(A)：
5
Dc Current Gain_min：
4
Dc Current Gain_max：
10
Test Condition for hFE (IC)：
7
Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)：
10
VCE(sat)_max(V)：
0.6
Test Condition for VCE(sat) - IC：
2
Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)：
400

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更多BULB49D供应商更新时间2025-10-4 16:30:00

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