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BULB49D分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BULB49D
厂商型号

BULB49D

参数属性

BULB49D 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 450V 5A D2PAK

功能描述

High voltage fast-switching NPN power transistor
TRANS NPN 450V 5A D2PAK

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

文件大小

275.6 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 STMicroelectronics
企业简称

STMICROELECTRONICS意法半导体

中文名称

意法半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-9 10:12:00

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BULB49D规格书详情

BULB49D属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的BULB49D晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Description

The devices are manufactured using high voltage multi-epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. The devices are designed for use in electronic transformer for halogen lamps.

Features

■ High voltage capability

■ Low spread of dynamic parameters

■ Minimum lot-to-lot spread for reliable operation

■ Very high switching speed

■ High ruggedness

Applications

■ Electronic transformers for halogen lamps

■ Flyback and forward single transistor low power converters

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BULB49DT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.2V @ 800mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    4 @ 7A,10V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D²PAK(TO-263)

  • 描述:

    TRANS NPN 450V 5A D2PAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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