BULB128-1分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BULB128-1 |
| 参数属性 | BULB128-1 封装/外壳为TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 400V 4A TO262 |
| 功能描述 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 文件大小 |
216.04 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-30 18:20:00 |
| 人工找货 | BULB128-1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BULB128-1规格书详情
BULB128-1属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由意法半导体集团制造生产的BULB128-1晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
DESCRIPTION
The device is manufactured using high voltage Multi-Epitaxial Planar technology for high switching speeds and medium voltage capability.
It uses a Cellular Emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.
The device is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies.
■ STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE
■ NPN TRANSISTOR
■ HIGH VOLTAGE CAPABILITY
■ LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
■ MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION
■ VERY HIGH SWITCHING SPEED
■ THROUGH HOLE I2PAK (TO-262) POWER PACKAGE IN TUBE (SUFFIX -1)
APPLICATIONS:
■ ELECTRONIC BALLASTS FOR FLUORESCENT LIGHTING
产品属性
更多- 产品编号：
BULB128-1
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 1A，4A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
250µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
14 @ 2A，5V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
- 供应商器件封装：
TO-262
- 描述：
TRANS NPN 400V 4A TO262
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
2023+ |
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