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BULB49D中文资料HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR数据手册ST规格书

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厂商型号

BULB49D

参数属性

BULB49D 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 450V 5A D2PAK

功能描述

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
TRANS NPN 450V 5A D2PAK

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:01:00

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BULB49D规格书详情

特性 Features

• High voltage capability
• Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
• Low spread of dynamic parameters
• High ruggedness
• Very high switching speed

简介

BULB49D属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BULB49D晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BULB49D

  • 生产厂家

    :ST

  • Marketing Status

    :NRND

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :400

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :850

  • Collector Current_abs_max(A)

    :5

  • Dc Current Gain_min

    :4

  • Dc Current Gain_max

    :10

  • Test Condition for hFE (IC)

    :7

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :10

  • VCE(sat)_max(V)

    :0.6

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :2

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :400

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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