BUL39D数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
BUL39D |
参数属性 | BUL39D 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 450V 4A TO220 |
功能描述 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR |
封装外壳 | TO-220-3 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-10 23:01:00 |
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BUL39D规格书详情
特性 Features
• Integrated antiparallel collector-emitter diode
• Low spread of dynamic parameters
• High voltage capability
• Very high switching speed
• Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
简介
BUL39D属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BUL39D晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BUL39D
- 生产厂家
:ST
- Package
:TO-220AB
- Grade
:Industrial
- Transistor Polarity
:NPN
- Collector-Emitter Voltage_nom(V)
:450
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
:450
- Collector-Base Voltage_max(V)
:850
- Collector Current_max(A)
:4
- Collector Current_abs_max(A)
:4
- Dc Current Gain_min
:4
- Test Condition for hFE (IC)
:5
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
:10
- VCE(sat)_max(V)
:1.1
- Test Condition for VCE(sat) - IC
:2.5
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
:500
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220 |
942 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
900 |
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ST |
2016+ |
TO220 |
5297 |
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ST |
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TO220 |
80000 |
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ST/意法 |
2023+ |
TO220 |
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ST |
1942+ |
TO-220 |
9852 |
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ST/意法 |
25+ |
TO-220 |
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ST |
23+ |
TO-220 |
18689 |
询价 | |||
ST/意法 |
05+ |
TO-220 |
921 |
深圳原装进口无铅现货 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
TO-220-3 |
8860 |
原装现货,实单价优 |
询价 |