BUL381D数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
BUL381D |
参数属性 | BUL381D 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 400V 5A TO220 |
功能描述 | HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORS |
封装外壳 | TO-220-3 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-11 13:26:00 |
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BUL381D规格书详情
特性 Features
• INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE
• LARGE RBSOA
• STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE
• LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS
• HIGH VOLTAGE CAPABILITY
• VERY HIGH SWITCHING SPEED
• MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION
简介
BUL381D属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BUL381D晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BUL381D
- 生产厂家
:ST
- Package
:TO-220AB
- Grade
:Industrial
- Transistor Polarity
:NPN
- Collector-Emitter Voltage_nom(V)
:400
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
:400
- Collector-Base Voltage_max(V)
:800
- Collector Current_max(A)
:5
- Collector Current_abs_max(A)
:5
- Dc Current Gain_min
:8
- Test Condition for hFE (IC)
:2
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
:5
- VCE(sat)_max(V)
:1.1
- Test Condition for VCE(sat) - IC
:3
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
:750
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
TO220 |
3800 |
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询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO220 |
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STMAR |
25+ |
TO-220 |
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ST/意法 |
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ST |
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TO-220 |
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ST(意法半导体) |
22+23+ |
TO-220-3 |
8000 |
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询价 | ||
ST |
6000 |
面议 |
19 |
TO-220 |
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ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220-3 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
2511 |
TO-220-3 |
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ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
16900 |
原装,正品 |
询价 |