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BUL216数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BUL216

参数属性

BUL216 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 800V 4A TO220

功能描述

高压快速切换NPN功率晶体管
TRANS NPN 800V 4A TO220

封装外壳

TO-220-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-10 23:01:00

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BUL216规格书详情

描述 Description

The BUL216 is manufactured using high voltage Multiepitaxial Mesa technology for cost-effective high performance. It uses a Hollow Emitter structure to enhance switching speeds.

The BUL series is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies.

特性 Features

• HIGH RUGGEDNESS
• STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE
• HIGH VOLTAGE CAPABILITY
• NPN TRANSISTOR
• HIGH OPERATING JUNCTION TEMPERATURE
• VERY HIGH SWITCHING SPEED

简介

BUL216属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BUL216晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BUL216

  • 生产厂家

    :ST

  • Marketing Status

    :Active

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_nom(V)

    :800

  • Collector-Emitter Voltage_max(V)

    :800

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :1600

  • Collector Current_max(A)

    :4

  • Collector Current_abs_max(A)

    :4

  • Dc Current Gain_min

    :12

  • Dc Current Gain_max

    :40

  • Test Condition for hFE (IC)

    :0.4

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :5

  • VCE(sat)_max(V)

    :1

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :1

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :200

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
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