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BUL381_2015	文件：84.38 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：84.38 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BUL381D	文件：94.62 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：94.62 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
BUL381D_03	文件：207.23 Kbytes Page：6 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR 文件：207.23 Kbytes 页数：6 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
BUL381D_2015	文件：85.84 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：85.84 Kbytes 页数：3 Pages	JMNIC 锦美电子	JMNIC
BUL381D	文件：300 bytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTORS • INTEGRATED ANTIPARALLEL COLLECTOR-EMITTER DIODE\n• LARGE RBSOA\n• STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE\n• LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS• HIGH VOLTAGE CAPABILITY\n• VERY HIGH SWITCHING SPEED\n• MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION;	ST 意法半导体	ST
BUL381D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 400V 5A TO220	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

晶体管资料

型号：
BUL381D
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-N+Di
性质：
INTEGR_DAMPER_DI
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
800V
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BUL38D,
最大耗散功率：
70W
放大倍数：
图片代号：
B-10
vtest：
800
htest：
999900
atest：
5
wtest：
70

技术参数

Package：
TO-220AB
Grade：
Industrial
Transistor Polarity：
NPN
Collector-Emitter Voltage_nom(V)：
400
Collector-Emitter Voltage_max(V)：
400
Collector-Base Voltage_max(V)：
800
Collector Current_max(A)：
5
Collector Current_abs_max(A)：
5
Dc Current Gain_min：
8
Test Condition for hFE (IC)：
2
Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)：
5
VCE(sat)_max(V)：
1.1
Test Condition for VCE(sat) - IC：
3
Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)：
750

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